IEC/TS 62804-1(2015)
Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния
Статус: Действует Дата введения в действие: 06.08.2015
| Обозначение | IEC/TS 62804-1(2015) |
|---|---|
| Обозначение | IEC/TS 62804-1(2015) |
| Заглавие на русском языке | Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния |
| Заглавие на русском языке | Модули фотоэлектрические. Методы испытания на деградацию, вызванную электрическим потенциалом. Часть 1. Фотоэлектрические модули на основе кристаллического кремния |
| Заглавие на английском языке | Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon |
| Заглавие на английском языке | Photovoltaic (PV) modules - Test methods for the detection of potential-induced degradation - Part 1: Crystalline silicon |
| МКС | 27.160 |
| МКС | 27.160 |
| Аннотация (область применения) | фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния к кратковременному воздействию высокого напряжения, включая снижение работоспособности, обусловленное разницей потенциалов, возникающей в модуле. В стандарте приведены два метода испытаний, которые не обязательно дают одинаковые результаты. Эти способы используются в качестве проверочных, поскольку ни один из них не включает в себя все факторы естественной среды, которые могут повлиять на скорость СРРП. В этих методах указано, как получить нагрузки постоянного уровня. Приведенные в настоящих технических требованиях испытания предназначены для фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния с одной или двумя стеклянными поверхностями и кремниевыми элементами с пассивирующими изолирующими слоями со снижением работоспособности, обусловленным подвижностью ионов, влияющим на электрическое поле в полупроводнике, или их электронным взаимодействием с собственно полупроводником. Настоящие технические требования не предназначены для оценки устройств, выполненных по тонкопленочным технологиям, или устройств с тандемной или гетерогенной структурой. В настоящих технических требованиях описаны методы измерения способности конструкции модуля противостоять обусловленному воздействием рабочего напряжения снижению работоспособности и проявляющему себя за относительно короткий срок. Описанные в настоящих технических требованиях методы измерения не предназначены для проверки определенных взаимодействующих явлений, которые могут проявиться в модулях в течение более длительных периодов, например, повреждение герметизации, которая в свою очередь приведет к проникновению влаги внутрь модуля с пос ледующей электрохимической коррозией. В настоящих технических требованиях не рассматриваются вопросы световой экспозиции модулей, которые также могут влиять на скорость снижения работоспособности. Результаты приведенных методов испытаний для оценки СРРП определяются уровнями нагрузки и типичными видами заземления, применяемыми в соответствующих испытаниях. Поскольку в методе a) с применением климатической камеры в качестве проводящего пути на землю используется атмосфера с уровнем влажности, исключающем конденсацию, в этом методе в середине лицевой поверхности модуля создается меньшее напряжение, в результате чего наибольшие эффекты СРРП возникают ближе к краям модуля. В методе испытаний b) с использованием приложения к поверхностям заземляющих электродов проводится оценка стойкости фотоэлектрических элементов и некоторого влияния герметизирующих материалов компонентов модуля, таких как сопротивления стекла и герметизирующего покрытия, без выделения степени влияния на СРРП таких средств его улучшения как, например, использование задних монтажных реек, краевых зажимов или изолирующих рам. Фактическая стойкость модулей к воздействию рабочего напряжения зависит от окружающих условий при их эксплуатации. Приводимые в настоящем стандарте испытания предназначены для оценки стойкости фотоэлектрических модулей к СРРП безотносительно к уровню фактических нагрузок при их эксплуатации при различных климатических условиях или в различных системах. |
| Аннотация (область применения) | фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния к кратковременному воздействию высокого напряжения, включая снижение работоспособности, обусловленное разницей потенциалов, возникающей в модуле. В стандарте приведены два метода испытаний, которые не обязательно дают одинаковые результаты. Эти способы используются в качестве проверочных, поскольку ни один из них не включает в себя все факторы естественной среды, которые могут повлиять на скорость СРРП. В этих методах указано, как получить нагрузки постоянного уровня. Приведенные в настоящих технических требованиях испытания предназначены для фотоэлектрических модулей на основе кристаллического кремния с одной или двумя стеклянными поверхностями и кремниевыми элементами с пассивирующими изолирующими слоями со снижением работоспособности, обусловленным подвижностью ионов, влияющим на электрическое поле в полупроводнике, или их электронным взаимодействием с собственно полупроводником. Настоящие технические требования не предназначены для оценки устройств, выполненных по тонкопленочным технологиям, или устройств с тандемной или гетерогенной структурой. В настоящих технических требованиях описаны методы измерения способности конструкции модуля противостоять обусловленному воздействием рабочего напряжения снижению работоспособности и проявляющему себя за относительно короткий срок. Описанные в настоящих технических требованиях методы измерения не предназначены для проверки определенных взаимодействующих явлений, которые могут проявиться в модулях в течение более длительных периодов, например, повреждение герметизации, которая в свою очередь приведет к проникновению влаги внутрь модуля с пос ледующей электрохимической коррозией. В настоящих технических требованиях не рассматриваются вопросы световой экспозиции модулей, которые также могут влиять на скорость снижения работоспособности. Результаты приведенных методов испытаний для оценки СРРП определяются уровнями нагрузки и типичными видами заземления, применяемыми в соответствующих испытаниях. Поскольку в методе a) с применением климатической камеры в качестве проводящего пути на землю используется атмосфера с уровнем влажности, исключающем конденсацию, в этом методе в середине лицевой поверхности модуля создается меньшее напряжение, в результате чего наибольшие эффекты СРРП возникают ближе к краям модуля. В методе испытаний b) с использованием приложения к поверхностям заземляющих электродов проводится оценка стойкости фотоэлектрических элементов и некоторого влияния герметизирующих материалов компонентов модуля, таких как сопротивления стекла и герметизирующего покрытия, без выделения степени влияния на СРРП таких средств его улучшения как, например, использование задних монтажных реек, краевых зажимов или изолирующих рам. Фактическая стойкость модулей к воздействию рабочего напряжения зависит от окружающих условий при их эксплуатации. Приводимые в настоящем стандарте испытания предназначены для оценки стойкости фотоэлектрических модулей к СРРП безотносительно к уровню фактических нагрузок при их эксплуатации при различных климатических условиях или в различных системах. |
| Вид стандарта | ST |
| Вид стандарта | ST |
| Дата опубликования | 06.08.2015 |
| Дата опубликования | 06.08.2015 |
| Язык оригинала | английский |
| Язык оригинала | английский |
| Количество страниц оригинала | 20 |
| Количество страниц оригинала | 20 |
| Количество страниц перевода | 21 |
| Количество страниц перевода | 21 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 82 |
| ТК – разработчик стандарта | TC 82 |
| Номер издания | 1.0 |
| Номер издания | 1.0 |
| Статус | Действует |
| Статус | Действует |
| Код цены | D |
| Код цены | D |