DIN 50454-1-2000
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлия
Статус: Дата введения в действие: 01.07.2000
| Обозначение | DIN 50454-1-2000 |
|---|---|
| Заглавие на русском языке | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлия |
| Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide |
| Дата опубликования | 01.07.2000 |
| МКС | 29.045 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50454-1(1991-11)*DIN 50454-1(1999-07) |
| Язык оригинала | немецкий |
| Количество страниц оригинала | 9 |
| Перекрестные ссылки | DIN 50433-1(1976-12)* DIN 50434(1986-02)* |
| Код цены | Preisgruppe 8 |