DIN 50454-3-1994
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлия
Статус: Дата введения в действие: 01.10.1994
| Обозначение | DIN 50454-3-1994 |
|---|---|
| Заглавие на русском языке | Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлия |
| Заглавие на английском языке | Testing of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 3: Gallium phosphide |
| Дата опубликования | 01.10.1994 |
| МКС | 29.045 |
| Вид стандарта | ST |
| Обозначение заменяемого(ых) | DIN 50454-3(1993-06) |
| Язык оригинала | немецкий |
| Количество страниц оригинала | 2 |
| Перекрестные ссылки | DIN 50433-1(1976-12)* DIN 50454-1(1991-11)* |
| Код цены | Preisgruppe 5 |