IEC 63068-4(2022)
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции
Статус: Действует Дата введения в действие: 27.07.2022
Обозначение | IEC 63068-4(2022) |
---|---|
Заглавие на русском языке | Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 4. Процедура идентификации и оценки дефектов с использованием комбинированного метода оптического контроля и фотолюминесценции |
Заглавие на английском языке | Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 4: Procedure for identifying and evaluating defects using a combined method of optical inspection and photoluminescence |
МКС | 31.080.99 |
Вид стандарта | ST |
Дата опубликования | 27.07.2022 |
Язык оригинала | английский |
Количество страниц оригинала | 25 |
ТК – разработчик стандарта | TC 47 |
Номер издания | 1.0 |
Статус | Действует |
Код цены | F |