Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 4 страниц: 1
DIN 50454-1-1991
Монокристаллы арсенида галлия 3-5- сложных полупроводников. Определение дислокационной ямки травленияTesting of materials for semiconductor technology; determination of the dislocations etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors; galliumarsenide
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50454-1-2000
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 1. Арсенид галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of dislocations in monocrystals of III-V-compound semi-conductors - Part 1: Gallium arsenide
Количество страниц: 9 Статус:
DIN 50454-2-1994
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 2. Фосфид индияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 2: Indium phosphide
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50454-3-1994
Монокристаллы Ш-V сложных полупроводников. Определение плотности дислокационных ямок травления. Часть 3. Фосфид галлияTesting of materials for semiconductor technology - Determination of the dislocation etch pits density in monocrystals of III-V-compound semiconductors - Part 3: Gallium phosphide
Количество страниц: 2 Статус:
найдено документов: 4 страниц: 1
- 1