Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 131 страниц: 7
DIN 50450-9-2021
Испытание материалов, применяемых в полупроводниковой технологии. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydrogen chloride by gaschromatography
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-1-1987
Кислота азотная для полупроводниковой технологии. Определение следов серебра, золота и меди спектрометрическим методом атомной абсорбцииTesting of materials for semiconductor technology; determination of traces of metals in liquids; Ag, Au and Cu in nitric acid by means of AAS
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-1-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 1. Определение содержания серебра (Ag), золота (Au), кальция (Ca), меди (Cu), железа (Fe), калия (K) и натрия (Na) в азотной кислоте методом атомно-абсорбционной спектрофотометрииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 1: Silver (Ag), gold (Au), calcium (Ca), copper (Cu), iron (Fe), potassium (K) and sodium (Na) in nitric acid by AAS
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-2-1990
Кислота плавиковая для полупроводниковой технологии. Определение следов кобальта, хрома, меди, железа и никеля методом эмиссионной спектрометрии в плазмеDetermination of cobalt, chromium, copper, iron and nickel as impurities in hydrofluoric acid for use in semiconductor technology by plasma-induced emission spectrometry
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-2-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 2. Определение содержания кальция (Ca), кобальта (Co), хрома (Cr), меди (Cu), железа (Fе), никеля (Ni) и цинка (Zn) в плавиковой кислоте методом эмиссионной спектроскопии с наведенной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 2: Calcium (Ca), cobalt (Co), chromium (Cr), copper (Cu), Iron (Fe), nickel (Ni) and zinc (Zn) in hydrofluoric acid with plasma-induced emission spectroscopy
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-3-1994
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение следов металла в жидкостях. Определение содержания алюминия, кобальта, меди, натрия, никеля, цинка в азотной кислоте методом ICP-MSTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of metals in liquids - Part 3: Al, Co, Cu, Na, Ni and Zn in nitric acid with ICP-MS
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-3-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 3. Определение содержания алюминия (Al), кобальта (Co), меди (Cu), натрия (Na), никеля (Ni) и цинка (Zn) в азотной кислоте с помощью ICP-MS масс-спектрометра с индуцируемой плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Aluminium (Al), cobalt (Co), copper (Cu), sodium (Na), nickel (Ni) and zinc (Zn) in nitric acid by ICP-MS
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-3-2014
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 3. Определение 31 элемента в сверхчистой азотной кислоте методом масс-спектрометрического анализа с индуктивно-связанной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Determination of 31 elements in high-purity nitric acid by ICP-MS
Количество страниц: 19 Статус:
DIN 50451-4-2007
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 4. Определение 34 элементов в сверхчистой воде масс-спектрометрическим анализом с индуктивно-связанной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
Количество страниц: 13 Статус:
DIN 50451-5-2010
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 5. Руководство по выбору материалов для испытания их соответствия для аппаратуры отбора и приготовления проб для определения микроэлементов в диапазоне микрограмм на килогграмм и нанограмм на килограммTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50451-6-2014
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 6. Определение 36 элемента в сверхчистом растворе фтористого аммония (NH<(Индекс)>F) и в травильных смесях сверхчистого раствора фтористого аммония, содержащего фтористоводородную кислотуTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 6: Determination of 36 elements in a high-purity ammonium fluoride solution (NH<(Index)4>F) and in etching mixtures of high-purity ammonium fluoride solution containing hydrofluoric acid
Количество страниц: 14 Статус:
DIN 50451-7-2018
Испытания материалов для полупроводниковых технологий. Определение следовых элементов в жидкостях. Часть 7. Определение 31 элемента в соляной кислоте высокой чистоты методом ИСП-МСTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 7: Determination of 31 elements in high-purity hydrochloric acid by ICP-MS
Количество страниц: 14 Статус:
DIN 50452-2-1991
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Определение с применением оптического счетчикаTesting of materials for semiconductor technology; test method for particle analysis in liquids; determination of particles with optical particle counters
Количество страниц: 4 Статус:
DIN 50452-2-2009
Испытания материалов для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа в жидкотях. Часть 2. Определение частиц с применением оптических счетчиковTesting of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 2: Determination of particles by optical particle counters
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50452-3-1995
Жидкости для полупроводниковой технологии. Метод гранулометрического анализа. Часть 3. Калибровка оптических счетчиков частицTesting of materials for semiconductor technology - Test method for particle analysis in liquids - Part 3: Calibration of optical particle counters
Количество страниц: 6 Статус:
DIN 50453-1-1990
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Монокристаллы кремния, гравиметрический методTesting of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium monocrystals; gravimetric method
Количество страниц: 3 Статус:
DIN 50453-2-1990
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Покрытие из диоксида кремния, оптический методTesting of materials for semiconductor technology; determination of etch rates of etching mixtures; silicium-dioxid coating; optical method
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50453-3-2001
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение скорости травления травильных смесей. Часть 3. Алюминий, гравиметрический методTesting of materials for semiconductor technology - Determination of etch rates of etching mixtures - Part 3: Aluminium, gravimetric method
Количество страниц: 4 Статус:
найдено документов: 131 страниц: 7
- ‹ предыдущая
- 1
- 2
- 3
- 4
- 5
- 6
- 7
- следующая ›
- последняя »