Каталог DIN — национальные стандарты Германии
найдено документов: 40 страниц: 2
DIN 50450-1-1987
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания воды в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи ячейки с пентаоксидом фосфораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of water impurity in hydrogen, oxygen, nitrogen, argon and helium by using a diphosphorus pentoxide cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-2-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания кислорода в азоте, аргоне, гелие, неоне и водороде при помощи гальванического элементаTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of oxygen impurity in N<(Index)2>, Ar, He, Ne and H<(Index)2> by using a galvanic cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-3-1991
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания метана в водороде, кислороде, азоте, аргоне и гелие при помощи пламенно-ионизационного детектораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of methane impurity in H<(Index)2>, O<(Index)2>, N<(Index)2>, Ar and He by using a flame ionization detector (FID)
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-4-1993
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Определение содержания углеводородов С1-С3 в азоте с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and dopant gases; determination of C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in nitrogen by gas-chromatography
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-5-1994
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания воды в хлороводороде с помощью фосфорпентоксидной ячейкиTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and dopant gases; determination of water traces in gaseous hydrogen chloride by a diphosphorus pentoxide cell
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-6-1994
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания СО и СО2 в азоте с помощью газовой хроматографии и ионизационного детектораTesting of materials for semiconductor technology; determination of impurities in carrier gases and doping gases; determination of CO and CO<(Index)2> in nitrogen by gaschromatographie
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-7-1995
Газы-носители и газы примесные, используемые при изготовлении полупроводников. Определение содержания СО и Н2 в азоте с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 7: Determination of CO and H<(Index)2> in nitrogen by gaschromatography and reduction gasdetector
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50450-8-2000
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение примесей в газах-носителях примесных газах. Часть 8. Определение концентрации числа частиц в потоке азота, использующие лазерный счетчик частицTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 8: Determination of the concentration of the particle number in flowing nitrogen using laser particle counter
Количество страниц: 5 Статус:
DIN 50450-9-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydrogen chloride by gaschromatography
Количество страниц: 5 Статус:
DIN 50450-9-2021
Испытание материалов, применяемых в полупроводниковой технологии. Определение содержания примесей в газах-носителях и легирующих газах. Часть 9. Определение содержания кислорода, азота, моноксида углерода, диоксида углерода и углеводородов С1 - С3 в газообразном гидрохлориде с помощью газовой хроматографииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of impurities in carrier gases and dopant gases - Part 9: Determination of oxygen, nitrogen, carbonmonoxide, carbondioxide, hydrogen and C<(Index)1>-C<(Index)3>-hydrocarbons in gaseous hydrogen chloride by gaschromatography
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-1-1987
Кислота азотная для полупроводниковой технологии. Определение следов серебра, золота и меди спектрометрическим методом атомной абсорбцииTesting of materials for semiconductor technology; determination of traces of metals in liquids; Ag, Au and Cu in nitric acid by means of AAS
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-1-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 1. Определение содержания серебра (Ag), золота (Au), кальция (Ca), меди (Cu), железа (Fe), калия (K) и натрия (Na) в азотной кислоте методом атомно-абсорбционной спектрофотометрииTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 1: Silver (Ag), gold (Au), calcium (Ca), copper (Cu), iron (Fe), potassium (K) and sodium (Na) in nitric acid by AAS
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-2-1990
Кислота плавиковая для полупроводниковой технологии. Определение следов кобальта, хрома, меди, железа и никеля методом эмиссионной спектрометрии в плазмеDetermination of cobalt, chromium, copper, iron and nickel as impurities in hydrofluoric acid for use in semiconductor technology by plasma-induced emission spectrometry
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-2-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 2. Определение содержания кальция (Ca), кобальта (Co), хрома (Cr), меди (Cu), железа (Fе), никеля (Ni) и цинка (Zn) в плавиковой кислоте методом эмиссионной спектроскопии с наведенной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 2: Calcium (Ca), cobalt (Co), chromium (Cr), copper (Cu), Iron (Fe), nickel (Ni) and zinc (Zn) in hydrofluoric acid with plasma-induced emission spectroscopy
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-3-1994
Материалы для полупроводниковой технологии. Определение следов металла в жидкостях. Определение содержания алюминия, кобальта, меди, натрия, никеля, цинка в азотной кислоте методом ICP-MSTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of metals in liquids - Part 3: Al, Co, Cu, Na, Ni and Zn in nitric acid with ICP-MS
Количество страниц: 2 Статус:
DIN 50451-3-2003
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 3. Определение содержания алюминия (Al), кобальта (Co), меди (Cu), натрия (Na), никеля (Ni) и цинка (Zn) в азотной кислоте с помощью ICP-MS масс-спектрометра с индуцируемой плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Aluminium (Al), cobalt (Co), copper (Cu), sodium (Na), nickel (Ni) and zinc (Zn) in nitric acid by ICP-MS
Количество страниц: 8 Статус:
DIN 50451-3-2014
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 3. Определение 31 элемента в сверхчистой азотной кислоте методом масс-спектрометрического анализа с индуктивно-связанной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 3: Determination of 31 elements in high-purity nitric acid by ICP-MS
Количество страниц: 19 Статус:
DIN 50451-4-2007
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания примесей в жидкостях. Часть 4. Определение 34 элементов в сверхчистой воде масс-спектрометрическим анализом с индуктивно-связанной плазмойTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 4: Determination of 34 elements in ultra pure water by mass spectrometry with inductively coupled plasma (ICP-MS)
Количество страниц: 13 Статус:
DIN 50451-5-2010
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 5. Руководство по выбору материалов для испытания их соответствия для аппаратуры отбора и приготовления проб для определения микроэлементов в диапазоне микрограмм на килогграмм и нанограмм на килограммTesting of materials for semiconductor technology - Determination of trace elements in liquids - Part 5: Guideline for the selection of materials and testing of their suitability for apparatus for sampling and sample preparation for the determination of trace elements in the range of micrograms per kilogram and nanograms per kilogram
Количество страниц: 11 Статус:
DIN 50451-6-2014
Испытание материалов, применяемых в технологии изготовления полупроводников. Определение содержания микроэлементов в жидкостях. Часть 6. Определение 36 элемента в сверхчистом растворе фтористого аммония (NH<(Индекс)>F) и в травильных смесях сверхчистого раствора фтористого аммония, содержащего фтористоводородную кислотуTesting of materials for semiconductor technology - Determination of traces of elements in liquids - Part 6: Determination of 36 elements in a high-purity ammonium fluoride solution (NH<(Index)4>F) and in etching mixtures of high-purity ammonium fluoride solution containing hydrofluoric acid
Количество страниц: 14 Статус:
найдено документов: 40 страниц: 2